张 苗, 侯贤华, 王基蕴, 赵灵智, 胡社军, 汝 强. Ag在Si表面吸附的第一性原理研究[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2014, 46(5): 49-53. doi: 10.6054/j.jscnun.2014.06.041
引用本文: 张 苗, 侯贤华, 王基蕴, 赵灵智, 胡社军, 汝 强. Ag在Si表面吸附的第一性原理研究[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2014, 46(5): 49-53. doi: 10.6054/j.jscnun.2014.06.041

Ag在Si表面吸附的第一性原理研究

  • 摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法计算优化了Ag原子在硅惯习面Si(111)和Si(220)晶面的最佳吸附位置,并计算了Ag/Si(111)和Ag/Si(220)体系的表面吸附能和表面态电子结构.研究表明:Si基表面Ag原子的最稳定吸附居于Si(220)晶面的穴位,此时的吸附能最低,其值为5.2569eV,属于强化学吸附;同时由于在Ag/Si(220)体系中,Ag-4d轨道和表面态Si-3s、3p轨道电子的强相互作用,以及Ag-4p轨道的电子云强偏向于Si-3s、3p轨道使得体系的能隙宽度变窄,导电性急剧增大.

     

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