刘咏梅, 赵灵智, 姜如青, 覃坤南. SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2014, 46(2).
引用本文: 刘咏梅, 赵灵智, 姜如青, 覃坤南. SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2014, 46(2).
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FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SnS[J]. Journal of South China Normal University (Natural Science Edition), 2014, 46(2).
Citation: FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SnS[J]. Journal of South China Normal University (Natural Science Edition), 2014, 46(2).
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SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究

FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SnS

    摘要
  • 摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化, 对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示, SnS是一种直接带隙半导体,计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV.态密度计算表明,SnS是具有一定共价性的离子键晶体.当光子能量在0 ~ 3.10 eV和大于7.47 eV范围内时,晶体表现为介电性,在3.10 ~ 7.47 eV范围内晶体表现为金属性.SnS具有数量级105 cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能.

     

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