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硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究

周宝艳

周宝艳. 硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2013, 45(1). doi: 10.6054/j.jscnun.2012.12.010
引用本文: 周宝艳. 硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2013, 45(1). doi: 10.6054/j.jscnun.2012.12.010
ZHOU Bao-Yan. THE STUDY ON THE EFFECTS OF THE ELECTRONIC STRUCTURE OF BORON-DOPED(2,2) SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2013, 45(1). doi: 10.6054/j.jscnun.2012.12.010
Citation: ZHOU Bao-Yan. THE STUDY ON THE EFFECTS OF THE ELECTRONIC STRUCTURE OF BORON-DOPED(2,2) SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2013, 45(1). doi: 10.6054/j.jscnun.2012.12.010

硼掺杂对(2,2)单壁碳纳米管电子结构影响研究

doi: 10.6054/j.jscnun.2012.12.010
基金项目: 

福建省自然科学基金

详细信息
    通讯作者:

    周宝艳

  • 中图分类号: 

    O471.5

THE STUDY ON THE EFFECTS OF THE ELECTRONIC STRUCTURE OF BORON-DOPED(2,2) SINGLE-WALLED CARBON NANOTUBES

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    Corresponding author: ZHOU Bao-Yan
  • 摘要: 基于密度泛函理论下的第一性原理,计算了不同B掺杂浓度的SWCNT的几何形状结构、杂质的形成能、能带结构和态密度(DFT),研究了B掺杂对(2,2)单壁碳纳米管(SWCNT)电子结构的影响.B杂质的引入使SWCNT的管径增大,杂质的形成能为负值,表明(2,2)SWCNT进行掺B的过程为放热反应,B原子以替位形式掺入碳纳米管中是可行的.掺杂B后,SWCNT的费米能级向价带迁移,使(2,2)SWCNT转变为n型半导体.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-03-06
  • 修回日期:  2012-04-15
  • 刊出日期:  2013-01-25

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