SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究

SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究

刘咏梅, 赵灵智, 姜如青, 覃坤南

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刘咏梅, 赵灵智, 姜如青, 覃坤南. SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2014, 46(2).

引用本文:

刘咏梅, 赵灵智, 姜如青, 覃坤南. SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究[J]. 华南师范大学学报（自然科学版）, 2014, 46(2).

FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SnS[J]. Journal of South China Normal University (Natural Science Edition), 2014, 46(2).

Citation:

FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SnS[J]. Journal of South China Normal University (Natural Science Edition), 2014, 46(2).

SnS电子结构和光学性质的第一性原理研究

1.
1.
2.
2.华南师范大学光电子材料与技术研究所

基金项目:

国家自然科学基金;中国博士后科学基金特别资助项目;广东省自然科学基金;广东省科技计划项目;广州市科技计划项目;广州市珠江科技新星专项

详细信息

通讯作者:
赵灵智

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出版历程
- 收稿日期: 2013-07-15
- 修回日期: 2013-10-08
- 刊出日期: 2014-03-24

FIRST-PRINCIPLES INVESTIGATIONS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES OF SnS

摘要: 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法, 建立了SnS超晶胞模型并进行了几何结构优化, 对其能带结构、态密度、电荷密度及光学性质进行了模拟计算. 结果显示, SnS是一种直接带隙半导体,计算所得的带隙值0.503 eV低于实验值的1.3 eV.态密度计算表明,SnS是具有一定共价性的离子键晶体.当光子能量在0 ~ 3.10 eV和大于7.47 eV范围内时,晶体表现为介电性,在3.10 ~ 7.47 eV范围内晶体表现为金属性.SnS具有数量级105 cm-1的吸收系数,能强烈地吸收光能.
- 光学性质
- optical properties

参考文献(1)

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