摘要: 基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法，建立SnO2超晶胞模型并进行几何结构优化，对其能带结构进行了模拟计算．结果显示，导带底和价带顶位于G点处，表明SnO2是一种直接带隙半导体．同时，采用脉冲激光沉积法分别在蓝宝石衬底和Si衬底上制备出SnO2薄膜及n-SnO2/p-Si异质结．扫描电镜结果表明，SnO2薄膜晶粒均匀．霍尔测试结果表明，SnO2薄膜载流子浓度高达1.39X1020cm-3．吸收谱测试表明，SnO2薄膜光学带隙为3.37eV．n-SnO2/p-Si异质结的I-V曲线显示出其良好的整流特性．