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Si图形衬底的制备及半极性GaN生长

苏军 李述体 尹以安 曹健兴

苏军, 李述体, 尹以安, 曹健兴. Si图形衬底的制备及半极性GaN生长[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2010, (4).
引用本文: 苏军, 李述体, 尹以安, 曹健兴. Si图形衬底的制备及半极性GaN生长[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2010, (4).
STUDY OF ANISOTROPIC ETCHING OF SI SUBSTRATE[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2010, (4).
Citation: STUDY OF ANISOTROPIC ETCHING OF SI SUBSTRATE[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2010, (4).

Si图形衬底的制备及半极性GaN生长

基金项目: 

国家自然科学基金资助项目

详细信息
    通讯作者:

    李述体

  • 中图分类号: 

    O59

STUDY OF ANISOTROPIC ETCHING OF SI SUBSTRATE

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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-15
  • 修回日期:  2010-05-13
  • 刊出日期:  2010-11-25

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