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Mg、Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

董玉成 郭志友 毕艳军 林竹

董玉成, 郭志友, 毕艳军, 林竹. Mg、Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2009, 1(3): 55-59 .
引用本文: 董玉成, 郭志友, 毕艳军, 林竹. Mg、Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2009, 1(3): 55-59 .
DONG Yu-Cheng, . FIRST-PRINCIPLES CALCULATION OF AlN ELECTRONIC STRUCTUREBY DOPING WITH MG AND CD[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2009, 1(3): 55-59 .
Citation: DONG Yu-Cheng, . FIRST-PRINCIPLES CALCULATION OF AlN ELECTRONIC STRUCTUREBY DOPING WITH MG AND CD[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2009, 1(3): 55-59 .

Mg、Cd掺杂AlN电子结构的第一性原理计算

详细信息
    通讯作者:

    董玉成

FIRST-PRINCIPLES CALCULATION OF AlN ELECTRONIC STRUCTUREBY DOPING WITH MG AND CD

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    Corresponding author: DONG Yu-Cheng
  • 摘要: 基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理的平面波超软赝势方法(USPP),对Mg,Cd掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和 掺杂体系的晶体结构参数.计算了掺杂AlN晶体的结合能,电子态密度,差分电荷密度,并对计算结果进行了细致的分析.计算结果表明,相对于Cd,Mg在AlN晶体中可以提供更多的空穴,有利于形成更好的p型电导.
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出版历程
  • 收稿日期:  2008-07-04
  • 修回日期:  2008-09-03
  • 刊出日期:  2009-08-25

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