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过渡性金属氧化物薄膜阻变存储材料进展概况

高兴森 张飞 林远彬 芦增星

高兴森, 张飞, 林远彬, 芦增星. 过渡性金属氧化物薄膜阻变存储材料进展概况[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2013, 45(6).
引用本文: 高兴森, 张飞, 林远彬, 芦增星. 过渡性金属氧化物薄膜阻变存储材料进展概况[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2013, 45(6).
Transition Metal Oxide Thin Film Based Nonvolatile Resistive Random Access Memory[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2013, 45(6).
Citation: Transition Metal Oxide Thin Film Based Nonvolatile Resistive Random Access Memory[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2013, 45(6).

过渡性金属氧化物薄膜阻变存储材料进展概况

基金项目: 

国家自然科学基金项目;国家自然科学基金项目;国家自然科学基金项目;教育部长江学者创新团队项目

详细信息
    通讯作者:

    高兴森

Transition Metal Oxide Thin Film Based Nonvolatile Resistive Random Access Memory

  • 摘要: 随着半导体技术和集成电路的进步,器件的集成度也不断提高,器件的特征尺寸不断减小,基于电荷存储的传统非易失性随机存储器面临着物理和技术上极限的挑战。阻变式存储器(RRAM)作为新一代的存储器件,因其器件具有结构简单、制备简便、存储密度高、擦写速度快、写入电流小等优势引起了人们广泛的研究。本文就目前基于过度氧化物薄膜的RRAM研究概况,从RRAM的基本工作原理、材料体系、存储机理和器件应用所面临的各种困难等方面对RRAM进行了简要评述。
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出版历程
  • 收稿日期:  2013-03-12
  • 刊出日期:  2013-11-25

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