留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AlGaN/GaN量子级联激光器结构的垒层Al组分分析

陈贵楚

陈贵楚. AlGaN/GaN量子级联激光器结构的垒层Al组分分析[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2009, 1(3): 43-46 .
引用本文: 陈贵楚. AlGaN/GaN量子级联激光器结构的垒层Al组分分析[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2009, 1(3): 43-46 .
CHEN gui-chu. The Study of Al Composition in GaN-based Quantum Cascade Laser[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2009, 1(3): 43-46 .
Citation: CHEN gui-chu. The Study of Al Composition in GaN-based Quantum Cascade Laser[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2009, 1(3): 43-46 .

AlGaN/GaN量子级联激光器结构的垒层Al组分分析

详细信息
    通讯作者:

    陈贵楚

  • 中图分类号: 

    O471.5

The Study of Al Composition in GaN-based Quantum Cascade Laser

More Information
    Corresponding author: CHEN gui-chu
  • 摘要: 基于不同的研究者报道的AlGaN/GaN三阱式量子级联激光器的垒层有不同的Al组分,通过对激光器一个周期单元的一维薛定谔方程与泊松方程进行自洽求解,得到了能带与电子波函数的分布情况,并且计算了在近共振条件下偶极跃迁矩阵元与垒层Al组分的关系,得到了Al组分的优化结果.
  • 加载中
计量
  • 文章访问数:  1317
  • HTML全文浏览量:  90
  • PDF下载量:  597
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-11-28
  • 刊出日期:  2009-08-25

目录

    /

    返回文章
    返回