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低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

罗长得 严启荣 李正凯 郑树文 牛巧利 章勇

罗长得, 严启荣, 李正凯, 郑树文, 牛巧利, 章勇. 低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2013, 45(3): 53-58.
引用本文: 罗长得, 严启荣, 李正凯, 郑树文, 牛巧利, 章勇. 低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2013, 45(3): 53-58.
Effect of AlGaN as Low Indium Component Quantum Well Barrier Layers on Performance of Dual-Blue Wavelength Light-Emitting Diodes Based on GaN[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2013, 45(3): 53-58.
Citation: Effect of AlGaN as Low Indium Component Quantum Well Barrier Layers on Performance of Dual-Blue Wavelength Light-Emitting Diodes Based on GaN[J]. Journal of South China normal University (Natural Science Edition), 2013, 45(3): 53-58.

低In组分量子阱垒层AlGaN对GaN基双蓝光波长发光二极管性能的影响

基金项目: 

国家自然科学基金;广东省自然科学基金;广东省科技攻关项目

详细信息
    通讯作者:

    章勇

  • 中图分类号: O482.7

Effect of AlGaN as Low Indium Component Quantum Well Barrier Layers on Performance of Dual-Blue Wavelength Light-Emitting Diodes Based on GaN

  • 摘要: 采用数值分析方法对含有低In组分AlGaN垒层InGaN/GaN混合多量子阱双蓝光波长发光二极管进行模拟分析. 结果表明,这种AlGaN量子阱垒层能有效改善电子和空穴在混合多量子阱活性层中的分布均匀性及减少电子溢出,实现电子空穴在各个量子阱中的平衡辐射,从而减弱了双蓝光波长发光二极管的效率衰减. 此外,通过改变AlGaN量子阱垒层的Al组分,可以调控双蓝光波长发光二极管发射光谱的稳定性:当Al组分为0.08时,双蓝光波长发光二极管的光谱在小电流和大电流下都比较稳定,而Al组分为0.09时,光谱只在40~100 mA电流范围内比较稳定.
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出版历程
  • 收稿日期:  2012-10-25
  • 修回日期:  2013-01-16
  • 刊出日期:  2013-05-25

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