半导体碳纳米管中的高能激子

王俊杰, 高进伟, 赵红波

王俊杰, 高进伟, 赵红波. 半导体碳纳米管中的高能激子[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2014, 46(5): 41-44. DOI: 10.6054/j.jscnun.2014.06.001
引用本文: 王俊杰, 高进伟, 赵红波. 半导体碳纳米管中的高能激子[J]. 华南师范大学学报(自然科学版), 2014, 46(5): 41-44. DOI: 10.6054/j.jscnun.2014.06.001

半导体碳纳米管中的高能激子

  • 摘要: 利用单激发组态相互作用(SCI)方法,对半导体性单壁碳纳米管的电子结构和光学吸收谱进行理论计算.结果表明,激发碳纳米管得到了由电子空穴对相互束缚而成的激子,除了实验上常观测到的低能激子态之外,在高能处,甚至在连续能带中还出现了激子.部分高能激子来源于类似表面态的激发.
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出版历程
  • 刊出日期:  2014-09-24

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